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回顾这一设备的研制，首先是国家科技攻关的成果，其次还是发明者、研制者的爱国心、事业心和持之以恒争创民族品牌的结晶。以下是小编为您带来的关于快速热处理设备的回顾与展望，希望对您有所帮助。
快速热处理设备的回顾与展望
国家攻关项目国际先进水平
制作深亚微米特征尺寸的超大规模集成电路，关键要获得极浅的PN结。改变离子注入的能量，即可控制结深。但离子注入后，采用传统的扩散炉高温长时间退火工艺，会造成注入离子的严重再扩散;只有快速热处理工艺的高温短时间退火，才能既保持离子注入原有的分布，又满足超大规模集成电路的要求。
早在“六五”期间，钱佩信教授在德国取得优异成绩回国后，就将“离子注入退火”列入了“六五”国家科技攻关的子课题。在当时微电子所所长_坚教授的支持下，钱佩信教授带领一批骨干，从无到有建立了一套有别于传统思路的采用射频感应加热石
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